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三星HBM3E芯片遇阻英偉達驗證關口，2026年戰略或迎重大轉向

2025-05-28 來源：長江有色金屬網發布人: tongwj

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摘要：全球存儲芯片巨頭三星電子正面臨關鍵技術驗證的生死時速。據韓國業界消息，三星目標在2025年7月至8月間通過英偉達對12層HBM3E（高帶寬內存）芯片的品質驗證測試，若未能如期達標，其2026年HBM產品線戰略或將被迫大幅修正，甚至可能徹底放棄HBM3E，轉而押注下一代HBM4技術。

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