受其缺陷薄膜質量的限制，二維 Dion-Jacobson (DJ) 鈣鈦礦太陽能電池通常表現出較差的器件性能。剛性二銨有機層間間隔物不能容忍晶格失配，這會導致缺陷和畸變并最終降低光電性能。上海科技大學Gang Chen等人在甲脒(FA)基低維鈣鈦礦中引入了二次層間間隔物，并顯著提高了薄膜質量。
靈活的單價間隔陽離子有效地減輕了晶格畸變并減少了晶體缺陷，為鈣鈦礦薄膜提供了理想的微觀形態、更好的晶體取向、減少的缺陷狀態和提高的電荷傳輸能力。
因此，基于 (PDA0.9PA0.2)(FA)3Pb4I13(PDA = 丙烷-1,3-二銨，PA = 丙基銨)薄膜的優化鈣鈦礦太陽能電池 (PSC) 表現出 16.0 %，是同類結構中最高的報告值。
此外，該器件還表現出增強的熱穩定性，在85°C下老化800小時后仍保持其初始效率的90%。
